Ponencias en congresos:
STEM-HAADF-EELS and HRTEM assessment of cubic-hexagonal transitions and In-enrichment in InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
STEM-HAADF-EELS and HRTEM assessment of cubic-hexagonal transitions and In-enrichment in InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy
Año:2011
Áreas de investigación
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Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM | |
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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Microscopy of Semiconducting Materials 2011 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Cambridge, United Kingdom |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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00-0000-000-0 |
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DOI
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0000 |
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Fecha inicio congreso
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04/04/2011 |
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Fecha fin congreso
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07/04/2011 |
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Título de las actas
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STEM-HAADF-EELS and HRTEM assessment of cubic-hexagonal transitions and In-enrichment in InAlN/GaN Bragg reflectors grown by plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy |
Participantes
- Autor: D. Hosseini
- Autor: S. Conesa
- Autor: J.M. Rebled
- Autor: S. Estrade
- Autor: C. Magen
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: S. Fernández Garrido
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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