Ponencias en congresos:
Z. Gacevic, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, D. Hosseini, S. Estrade and F. Peiró "Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy"
Z. Gacevic, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, D. Hosseini, S. Estrade and F. Peiró "Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy"
Año:2011
Áreas de investigación
-
Industria electrónica
Datos
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Descripción
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| Relacionado con Línea de Investigación del Grupo GDS-ISOM, consultar en http://www.isom.upm.es/invdes.php | |
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Internacional
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Si |
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Nombre congreso
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European workshop on Molecular Beam Epitaxy 2011 |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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L' Alpe D'Huez, France |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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00-0000-000-0 |
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DOI
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00000 |
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Fecha inicio congreso
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20/03/2011 |
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Fecha fin congreso
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23/03/2011 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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"Structural properties of InAlN single layers nearly latice-matched to GaN grown by plasma assisted molecular beal epitaxy" |
Ver publicación en Archivo digital upm
Participantes
- Autor: Zarko Gacevic (UPM)
- Autor: S. Fernandez-Garrido
- Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
- Autor: D. Hosseini
- Autor: S. Estrade
- Autor: F. Peiró
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- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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