Observatorio de I+D+i UPM

Descripción
Trabajo relacionado con las lineas de investigación de ISOM-UPM
Internacional	Si
Nombre congreso	International Conference on Nitride Semiconductors 2011
Tipo de participación	960
Lugar del congreso	Glasgow, UK
Revisores	Si
ISBN o ISSN	00-0000-000-0
DOI	00000
Fecha inicio congreso	10/07/2011
Fecha fin congreso	15/07/2011
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Título de las actas	InN/GaN heterojunction electrical behavior

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

• Autor: Tommaso Brazzini . (UPM)
• Autor: Steven Albert . (UPM)
• Autor: A. Das
• Autor: Zarko Gacevic (UPM)
• Autor: E. Monroy
• Autor: Miguel Angel Sanchez Garcia (UPM)
• Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)

• Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
• Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
• Departamento: Ingeniería Electrónica