Memorias de investigación
Communications at congresses:
InN/GaN heterojunction electrical behavior
Year:2011

Research Areas
  • Electronics engineering

Information
Abstract
Trabajo relacionado con las lineas de investigación de ISOM-UPM
International
Si
Congress
International Conference on Nitride Semiconductors 2011
960
Place
Glasgow, UK
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
00-0000-000-0
00000
Start Date
10/07/2011
End Date
15/07/2011
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InN/GaN heterojunction electrical behavior
Participants

Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica