Artículos en revistas:
Volume charge carrier number fluctuations probed by low frequency noise measurements in InN layers
Volume charge carrier number fluctuations probed by low frequency noise measurements in InN layers
Año:2011
Áreas de investigación
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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APPLIED PHYSICS LETTERS |
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ISSN
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0003-6951 |
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Factor de impacto JCR
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3,82 |
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Información de impacto
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Volumen
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98 |
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DOI
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10.1063/1.3601855 |
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Número de revista
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25 |
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Mes
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Ranking
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14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI) |
Participantes
- Autor: geeta rani mutta
- Autor: jean marc routoure
- Autor: bruno guillet
- Autor: laurence mechin
- Autor:
javier grandal (UPM) - Autor: sara martin-horcajo (UPM)
- Autor: tommaso brazzini (UPM)
- Autor: fernando calle (UPM)
- Autor: miguel a. sanchez-garcia (UPM)
- Autor: philippe marie
- Autor: pierre ruterana
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Departamento: Ingeniería Electrónica
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