Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Volume charge carrier number fluctuations probed by low frequency noise measurements in InN layers
Año:2011
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,82
Información de impacto
Volumen
98
DOI
10.1063/1.3601855
Número de revista
25
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0
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3
Mes
Ranking
14/116 PHYSICS, APPLIED (SCI)
Participantes
  • Autor: geeta rani mutta
  • Autor: jean marc routoure
  • Autor: bruno guillet
  • Autor: laurence mechin
  • Autor: javier grandal (UPM)
  • Autor: sara martin-horcajo (UPM)
  • Autor: tommaso brazzini (UPM)
  • Autor: fernando calle (UPM)
  • Autor: miguel a. sanchez-garcia (UPM)
  • Autor: philippe marie
  • Autor: pierre ruterana
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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