Artículos en revistas:
Selective area growth of a- and c-plane GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy using colloidal nanolithography
Año:2011
Áreas de investigación
- Fisica lm -- sistemas de bajas dimensiones y mesoscopicos,
- Fisica sb -- semiconductores y estructura de bandas
Datos
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Descripción
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| articulo | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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journal of crystal growth |
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ISSN
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0022-0248 |
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Factor de impacto JCR
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1,8 |
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Información de impacto
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Volumen
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DOI
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10.1016/j.jcrysgro.2011.11.069 |
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Número de revista
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Steven Albert . UPM
- Autor: Ana Mª Bengoechea Encabo UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
- Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
- Departamento: Ingeniería Electrónica