Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Temperature and time dependent threshold voltage characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Año:2011
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics
ISSN
1862-6351
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
8
DOI
Número de revista
7-8
Desde la página
2232
Hasta la página
2234
Mes
JULIO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Travis J Anderson (Power Electronics Branch, Naval Research Laboratory USA)
  • Autor: Karl D. Hobart (Power Electronics Branch, Naval Research Laboratory, USA)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: Roberto Cuerdo (ISOM-UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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