Artículos en revistas:
Temperature and time dependent threshold voltage characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Temperature and time dependent threshold voltage characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Año:2011
Áreas de investigación
-
Ingenierías
Datos
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Descripción
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics |
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ISSN
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1862-6351 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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8 |
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DOI
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Número de revista
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7-8 |
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Desde la página
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2232 |
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Hasta la página
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2234 |
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Mes
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JULIO |
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Ranking
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Participantes
- Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: Travis J Anderson (Power Electronics Branch, Naval Research Laboratory USA)
- Autor: Karl D. Hobart (Power Electronics Branch, Naval Research Laboratory, USA)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
- Autor: Roberto Cuerdo (ISOM-UPM)
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