Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Temperature and time dependent threshold voltage characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Año:2011

Áreas de investigación
  • Ingenierías

Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Physica status solidi. C, Current topics in solid state physics
ISSN
1862-6351
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
8
DOI
Número de revista
7-8
Desde la página
2232
Hasta la página
2234
Mes
JULIO
Ranking

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: Sara Martin Horcajo UPM
  • Autor: Travis J Anderson Power Electronics Branch, Naval Research Laboratory USA
  • Autor: Karl D. Hobart Power Electronics Branch, Naval Research Laboratory, USA
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
  • Autor: Roberto Cuerdo ISOM-UPM

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  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica