Artículos en revistas:
Optimization of AlN thin layers on diamond substrates for high frequency SAW resonators
Año:2012
Áreas de investigación
- Ingenierías
Datos
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Descripción
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| AlN/diamond heterostructures are very promising for high frequency surface acoustic wave (SAW) resonators. In their design, the thickness of the piezoelectric film is one of the key parameters. On the other hand, the film material quality and, hence, the device performance, also depend on that thickness. In this work, polished microcrystalline diamond substrates have been used to deposit AlN films by reactive sputtering, from 150 nm up to 3 ?m thick. A high degree of the c-axis orientation has been obtained in all cases. SAW one port resonators at high frequency have been fabricated on these films with a proper combination of the film thickness and transducer size. | |
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Internacional
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Si |
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JCR del ISI
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Si |
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Título de la revista
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Materials letters |
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ISSN
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0167-577X |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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66 |
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DOI
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10.1016/j.matlet.2011.09.003 |
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Número de revista
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1 |
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Desde la página
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339 |
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Hasta la página
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342 |
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Mes
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SIN MES |
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Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
- Autor: Juan Rodriguez Madrid UPM
- Autor: Gonzalo Fuentes Iriarte UPM
- Autor: Daniel Araujo Dpto. Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica. Facultad de Ciencias. Universidad de Cádiz
- Autor: M.P. Villar Dpto. Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica. Facultad de Ciencias. Universidad de Cádiz
- Autor: O.A. Williams Institut für Angewandte Festköperphysik, Fraunhofer Gesellschaft
- Autor: W. Müller-Sebert Institut für Angewandte Festköperphysik, Fraunhofer Gesellschaft
- Autor: Fernando Calle Gomez UPM
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica