Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Optimization of AlN thin layers on diamond substrates for high frequency SAW resonators
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
AlN/diamond heterostructures are very promising for high frequency surface acoustic wave (SAW) resonators. In their design, the thickness of the piezoelectric film is one of the key parameters. On the other hand, the film material quality and, hence, the device performance, also depend on that thickness. In this work, polished microcrystalline diamond substrates have been used to deposit AlN films by reactive sputtering, from 150 nm up to 3 ?m thick. A high degree of the c-axis orientation has been obtained in all cases. SAW one port resonators at high frequency have been fabricated on these films with a proper combination of the film thickness and transducer size.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Materials letters
ISSN
0167-577X
Factor de impacto JCR
0
Información de impacto
Volumen
66
DOI
10.1016/j.matlet.2011.09.003
Número de revista
1
Desde la página
339
Hasta la página
342
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Juan Rodriguez Madrid (UPM)
  • Autor: Gonzalo Fuentes Iriarte (UPM)
  • Autor: Daniel Araujo (Dpto. Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica. Facultad de Ciencias. Universidad de Cádiz)
  • Autor: M.P. Villar (Dpto. Ciencia de los Materiales e Ingeniería Metalúrgica. Facultad de Ciencias. Universidad de Cádiz)
  • Autor: O.A. Williams (Institut für Angewandte Festköperphysik, Fraunhofer Gesellschaft)
  • Autor: W. Müller-Sebert ( Institut für Angewandte Festköperphysik, Fraunhofer Gesellschaft)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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