Ponencias en congresos:
Impact of N2 plasma power and duration on AlGaN/GaN HEMT
Impact of N2 plasma power and duration on AlGaN/GaN HEMT
Año:2011
Áreas de investigación
-
Tecnología electrónica y de las comunicaciones, -
Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
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Descripción
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Internacional
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No |
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Nombre congreso
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9th International conference on nitride semiconductors, ICNS |
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Tipo de participación
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960 |
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Lugar del congreso
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Glasgow, Reino Unido |
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Revisores
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Si |
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ISBN o ISSN
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DOI
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Fecha inicio congreso
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10/07/2011 |
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Fecha fin congreso
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15/07/2011 |
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Desde la página
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Hasta la página
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Título de las actas
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Participantes
- Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
- Autor: Fernando Gonzalez Posadas (CEA-Glenoble, Francia)
- Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
- Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
- Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
- Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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