Observatorio de I+D+i UPM

Búsqueda en Memorias de Inv.
Palabra clave:
Investigador UPM:
?
Area relacionada:
Tipo de actividad:
?
Área de conocimiento:

Año de la actividad:
?
Relacionada con la Escuela UPM:
Del: 1 al 29 (Hay 29)
  Año Tipo Actividad Area relacionada
1 2014 Ponencias en congresos Progress Toward a Si-Plus Architecture: Epitaxially-Integrable Si Sub-Cells for III-V/Si Multijunction Photovoltaics Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Silicio, Células solares
2 2016 Artículos en revistas Effects of Proton Irradiation on AlGaN/GaN based High Electron Mobility Transistors Microelectrónica, Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet), Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Dispositivos tipo mosfet
3 2016 Proyecto de I+D+i ENSAYOS DE CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE OBLEAS DE GERMANIO Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
4 2011 Proyecto de I+D+i MATERIALES DE BANDA INTERMEDIA BASADOS EN SEMICONDUCTORES II-IVI-O PARA APLICACIONES PV Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
5 2014 Ponencias en congresos Component integration strategies in metamorphic 4-junction III-V concentrator solar cells Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares
6 2014 Proyecto de I+D+i SIGMACELULA: LA INNOVACIÓN EN ESPAÑA EN TECNOLOGÍA DE CÉLULAS SOLARES FOTOVOLTAICAS BASADAS EN MATERIALES III-V Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares
7 2017 Artículos en revistas The effect of Sb-surfactant on GaInP CuPtB type ordering: Assessment through dark field TEM and aberration corrected HAADF imaging Química física de materiales, Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
8 2019 Patentes Non-polar III-Nitride binary and ternary materials, method for obtaining thereof and uses Dispositivos electrónicos, Dispositivos fotónicos emisores de luz, Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica, Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
9 2014 Proyecto de I+D+i CÉLULAS HÍBRIDAS III-V/SI PARA UNA NUEVA GENERACIÓN DE PANELES FOTOVOLTÁICOS Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Silicio, Células solares
10 2016 Artículos en revistas Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs Microelectrónica, Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet), Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Dispositivos tipo mosfet
11 2017 Artículos en revistas Degradation of subcells and tunnel junctions during growth of GaInP/Ga(In)As/GaNAsSb/Ge 4-junction solar cells Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares
12 2017 Artículos en revistas Effect of Ge autodoping during III-V MOVPE growth on Ge substrates Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica, Epitaxias y crecimientos cristalinos
13 2016 Proyecto de I+D+i ENSAYOS DE CRECIMIENTO DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE OBLEAS DE GERMANIO Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
14 2014 Proyecto de I+D+i FABRICACIÓN DE MOVPE DE CÉLULAS SOLARES MULTIUNIÓN DE SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SICILIO Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Silicio, Células solares
15 2014 Proyecto de I+D+i FABRICACIÓN, SIMULACIÓN Y ENSAYO DE RESISTENCIA DE CÉLULAS SOLARES DE SEMICONDUCTORES III-V Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares
16 2017 Ponencias en congresos Three-bandgap absolute quantum efficiency in intermediate band solar cells Energía solar, Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares, Generación fotovoltaica
17 2017 Artículos en revistas MOVPE growth of GaP on Si with As initial coverage Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
18 2014 Ponencias en congresos XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares
19 2016 Ponencias en congresos Effect of Ge autodoping during III-V on Ge epitaxy by MOVPE Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
20 2017 Artículos en revistas Effects of HfO2 Gate dielectric and KOH-based pre-treatments on AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors Microelectrónica, Diseño microelectrónico, Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet), Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Dispositivos tipo mosfet
21 2017 Artículos en revistas A substrate removal processing method for III-V solar cells compatible with low-temperature characterization Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares, Generación fotovoltaica
22 2013 Artículos en revistas Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures Caracterizacion, Defectos, Estructura, Transistores de efecto de campo de modulación de dopado (modfet), Transistores de efecto de campo tipo mos (mosfet), Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
23 2014 Proyecto de I+D+i CÉLULAS SOLARES TANDEM DE ALTA EFICIENCIA UTILIZANDO SEMICONDUCTORES III-V SOBRE SILICIO Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Silicio, Células solares
24 2016 Estancias o Sabáticos Estancia de Investigación en la Universidad de Berkeley Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica, Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Tecnologías de integración para ingeniería eléctrica y electrónica
25 2016 Artículos en revistas Limiting factors on the semiconductor structure of III-V multijunction solar cells for ultra-high concentration (1000-5000 suns) Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares
26 2016 Conferencias MOVPE and III-V Photovoltaics: Perspectives, Challenges and Potential for the Future Electricity Market Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
27 2017 Artículos en revistas Comparison of Ti/Pd/Ag, Pd/Ti/Pd/Ag and Pd/Ge/Ti/Pd/Ag contacts to n-type GaAs for electronic devices handling high current densities Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares
28 2014 Proyecto de I+D+i MATERIALES DE BANDA INTERMEDIA BASADOS EN SEMICONDUCTORES II-IVI-O PARA APLICACIONES PV Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv, Células solares
29 2016 Artículos en revistas Differences between GaAs/GaInP and GaAs/AlInP interfaces grown by movpe revealed by depth profiling and angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopies Semiconductores ii-vi, iii-v y iv-iv
Del: 1 al 29 (Hay 29)
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)