Observatorio de I+D+i UPM
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INVESTIGADORES
ESTRUCTURAS DE I+D+I
ACTIVIDAD INVESTIGADORA
INNOVACIÓN
Investigador
Wang Ashu .
Categoría Investigador
BECARIO OTT
Escuela UPM
INST.SIST.OPTOELECT. MICROTECNOL. "ISOM"
Departamento:
NO ADSCRITOS/AS A DEPARTAMENTO EN EL DIA DE LA FECHA
Area Conocimiento
SIN AREA DE CONOCIMIENTO
Grupo de Investigación:
Sin grupo de investigación
Investigador no vigente en la UPM
Datos de Memorias relacionados
Proyectos de I+D+i y generación de recursos
4 Proyectos de I+D+i
1: (2012)
Convertidores de alta velocidad de conmutación multinivel y multifase para aplicaciones espaciales
2: (2012)
Convertidores de alta velocidad de conmutación multinivel y multifase para aplicaciones espaciales
3: (2012)
Convertidores de alta velocidad de conmutación multinivel y multifase para aplicaciones espaciales
4: (2015)
CAVE: Convertidores de alta velocidad de conmutación multinivel y multifase para aplicaciones espaciales
Formación de Investigadores y Movilidad
5 Estancias y sabáticos recogidos en programas oficiales
1: (2010)
ASHU WANG.- ERASMUS MUNDUS 2009-2013, estancia de larga duración de 34 meses desde el 20 de mayo 2010
2: (2012)
ERASMUS MUNDUS, Doctorado.- ASHU WANG
3: (2012)
ERASMUS MUNDUS, Doctorado.- ASHU WANG
4: (2013)
Estancia de D. Ashu Wang
5: (2014)
Estancia de Ashu Wang
1 Tesis Doctorales
1: (2014)
Thermal, stress, and traps effects in AlGaN/GaN HEMTs
Difusión de Resultados de Investigación
3 Artículos en revistas
1: (2013)
Impact of Intrinsic Stress in Diamond Capping Layers on the Electrical Behavior of AlGaN/GaN HEMTs
2: (2013)
Simple and Accurate Method to Estimate Channel Temperature and Thermal Resistance in AlGaN/GaN HEMTs
3: (2013)
Simulation of thermal management in AlGaN/GaN HEMTs with integrated diamond heat spreaders
1 Conferencias invitadas en congresos
1: (2012)
Heat spreading in III-nitride HEMTs by diamond integration
5 Ponencia en Congresos
1: (2012)
Nanocrystalline diamond integration in III-Nitride HEMTs
2: (2012)
Simulation of thermal management in AlGaN/GaN HEMTs
3: (2013)
Impact of Intrinsic Stress in Diamond Capping Layers on the Electrical Behavior of AlGaN/GaN HEMTs
4: (2013)
Thermal stability of GaN on-Si HEMTs with different cap layers: GaN, in situ SiN, and in situ SiN/GaN
5: (2013)
Thermal stability of GaN on-Si HEMTs with different in situ cap layers
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