Observatorio de I+D+i UPM
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INVESTIGADORES
ESTRUCTURAS DE I+D+I
ACTIVIDAD INVESTIGADORA
INNOVACIÓN
Investigador
Veronica Gao Zhan
Categoría Investigador
BECARIO OFICIAL NO PIF
Escuela UPM
E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
Departamento:
INGENIERIA ELECTRONICA (ANTIGUO)
Area Conocimiento
SIN AREA DE CONOCIMIENTO
Grupo de Investigación:
Sin grupo de investigación
Datos de Memorias relacionados
Proyectos de I+D+i y generación de recursos
1 Proyectos de I+D+i
1: (2013)
Consolider RUE (CSD2009-00046) AEGAN (TEC2009-14307-C02-01) CAVE (TEC2012-38247)
Formación de Investigadores y Movilidad
4 Estancias y sabáticos recogidos en programas oficiales
1: (2012)
CONSULADO CHINO.- GAO ZHAN
2: (2012)
CONSULADO CHINO.- GAO ZHAN
3: (2013)
Estancia de Doña Gao Zhan.
4: (2014)
Estancia de Verónica Gao Zhan
1 Tesis Doctorales
1: (2017)
Improvement of performance and reliability of GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs) using high-k dielectrics
Difusión de Resultados de Investigación
10 Ponencia en Congresos
1: (2013)
Etching of AlGaN/GaN by Cl2-based ICP
2: (2013)
Gd2O3 gate dielectric for AlGaN/GaN HEMTs
3: (2013)
Thermal stability of GaN on-Si HEMTs with different cap layers: GaN, in situ SiN, and in situ SiN/GaN
4: (2013)
Thermal stability of GaN on-Si HEMTs with different in situ cap layers
5: (2014)
Temperature performance of AlGaN/GaN MOS-HEMTs on Si substrates using Gd2O3 as gate dielectric
6: (2015)
Effects of HfO2 dielectric layer in AlInN/GaN heterostructures
7: (2015)
Thermal stability study of AlGaN/GaN MOS-HEMTs
8: (2016)
Effects of high-k gate dielectrics on the electrical behavior of AlInN/GaN based diodes and HEMTs
9: (2016)
Effects of Proton Irradiation on AlGaN/GaN based High Electron Mobility Transistors
10: (2017)
Effects of HfO2 Gate dielectric and KOH-based pre-treatments on AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors
• TOMA DE DATOS DE MEMORIAS Y CV
• UPM.ES
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)
