Observatorio de I+D+i UPM
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INVESTIGADORES
ESTRUCTURAS DE I+D+I
ACTIVIDAD INVESTIGADORA
INNOVACIÓN
Investigador
Carlos Rivera De Lucas
Categoría Investigador
TITULAR UNIVERS. INTERINO
Escuela UPM
E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
Departamento:
INGENIERIA ELECTRONICA (ANTIGUO)
Area Conocimiento
TECNOLOGIA ELECTRONICA
Grupo de Investigación:
Sin grupo de investigación
Email (Directorio UPM)
carlos.rivera
upm.es
Investigador no vigente en la UPM
Datos de Memorias relacionados
Proyectos de I+D+i y generación de recursos
6 Proyectos de I+D+i
1: (2007)
"Ayudas para apoyar las líneas de I+D en el programa de creación y consolidación de grupos de investigación de la Universidad Politécnica de Madrid. CAM, Referencia: CCG07-UPM/000-3220"
2: (2007)
"Key Organisation for Research on Integrated Circuits in GaN Technology (KORRIGAN)"Programmes and Activities Memorandum of Understanding (EUROPA MOU); Contract nº 04/102.052/032. CA Nº 2157 V7.(2005-2009).
3: (2007)
"New Generation of GaN-based sensor arrays for nano and picofluidic systems for fast and reliable biomedical testing (GANANO)" STREP NMP4-CT-2003-505641 (2003-2006).
4: (2008)
Ayudas financieras para la mejora de las infraestructuras científicas y tecnológicas singulares y para el acceso a las mismas
5: (2008)
Korrigan: Key Organisation for Research on Integrated Circuits in GaN Technology
6: (2015)
: Dispositivos avanzados de Gap Ancho para el uso Racional de la Energía (RUE)
Formación de Investigadores y Movilidad
2 Tesis Doctorales
1: (2007)
"Estudio de estructuras de baja dimensionalidad y avanzadas para detección de radiación visible y ultravioleta basadas en Nitruros del grupo III" Nombre del Departamento: Ingeniería Electrónica de la ETSIT-UPM Doctorando: Carlos Rivera Director/es de la Tesis: Elías Muñoz Merino y JL. Pau Vizcaíno, Nota: Sobresaliente cum laude por unanimidad Lugar, Fecha de la Defensa: ETSIT-UPM, 13 de julio de 2007.
2: (2007)
"Estudio de estructuras de baja dimensionalidad y avanzadas para detección de radiación visible y ultravioleta basadas en Nitruros del grupo III" Nombre del Departamento: Ingeniería Electrónica de la ETSIT-UPM Doctorando: Carlos Rivera Director/es de la Tesis: Elías Muñoz Merino y JL. Pau Vizcaíno Nota: Sobresaliente cum laude por unanimidad Lugar, Fecha y Hora de la Defensa: ETSIT-UPM, 13 de julio de 2007.
Difusión de Resultados de Investigación
20 Artículos en revistas
1: (2007)
A. NAVARRO, C. RIVERA, R. CUERDO, J.L. PAU, J. PEREIRO, E. MUÑOZ "Low frequency noise in InGaN/GaN MQW-based photodetector structures" Physica Status Solidi (a), 204, 262-266 (2007) ISSN: 0370-1972
2: (2007)
A. NAVARRO, C. RIVERA, R. CUERDO, J.L. PAU, J. PEREIRO, F. CALLE, E. MUÑOZ "Noise study in photodiodes based on InGaN/GaN MQW" IEEE Electron Devices, Conf Proc- 2007 Spanish Conference, 321-324, ISBN: 1-4244-0868-7 (2007) ISSN: 0741-3106
3: (2007)
A. NAVARRO, C. RIVERA, R. CUERDO, J.L. PAU, J. PEREIRO, F. CALLE, E. MUÑOZ "Noise study in photodiodes based on InGaN/GaN MQW" 2007 Spanish Conference on Electron Devices IEEE Proceedings 321-324, ISBN: 1-4244-0868-7 (2007)
4: (2007)
C. RIVERA, E. MUÑOZ, O. BRANDT, H.T. GRAHN "Detection of the optical polarization angle with bandplass characteristics based on M-plane GaN photodetectors" Applied Physics Letters 91, 203514-203516 (2007) ISSN: 0003-6951
5: (2007)
C. RIVERA, E. MUÑOZ, O. GRANDT, H.T. GRAHN "Detection of the optical polarization angle with bandplass characteristics based on M-plane GaN photodetectors" Applied Physics Letters 91, 203514-203516 (2007) ISSN: 0003-6951
6: (2007)
C. RIVERA, P. MISRA, J. L. PAU, E. MUÑOZ, O. BRANDT, H. T. GRAHN, K. H. PLOOG "Electrical and optical characterization of M-plane GaN films grown on LiAlO2 substrates" Physica Status Solidi (c), 4, 2548-2551 (2007) ISSN: 0370-1972
7: (2007)
C. RIVERA, P. MISRA, J. L. PAU, E. MUÑOZ, O. BRANDT, H. T. GRAHN, K. H.PLOOG. "Intrinsic photoluminescence of M-plane GaN films on LiAlO2 substrates" Journal of Applied Physics, 101, 053527-053533 (2007). ISSN: 0021-8979
8: (2007)
C. RIVERA, P. MISRA, J.L. PAU, E. MUÑOZ, O. BRANDT, H.T. GRAHN, K.H. PLOOG "M-plane GaN-based dichroic photodetectors" Physica Status Solidi (c), 4, 86-89 (2007) ISSN: 0741-3106
9: (2007)
C. RIVERA, P. MISRA, J.L. PAU, E. MUÑOZ, O. BRANDT, H.T. GRAHN, K.H. PLOOG "Strained M-plane GaN for polarization-sensitive applications" IEEE Electron Devices, Conf Proc- 2007 Spanish Conference, 250-253 (2007) ISSN: 0741-3106
10: (2007)
C. RIVERA, U. JAHN, T. FLISSIKOWSKI, J.L. PAU, E. MUÑOZ, H.T. GRAHN. "Strain-confinement mechanism in mesoscopic quantum disks based on piezoelectric materials"Physical Review B (seleccionado por el Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology), 75, 0453163-0453173 (2007) ISSN: 1098-0121
11: (2007)
J. PEREIRO, C. RIVERA, J.L. PAU, A. NAVARRO, S. FERNANDEZ - GARRIDO, S. GRZANKA, M. LESZCZYNSKI, E. MUÑOZ "Design Of Ingan Based Photodetectors By Internal Field Engineering".2007 Spanish Conference on Electron Devices IEEE Proceedings 296-299, ISBN: 1-4244-0868-7 (2007)
12: (2007)
J. PEREIRO, C. RIVERA, J.L. PAU, A. NAVARRO, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, S. GRZANKA, M. LESZCZYNSKI, E. MUÑOZ "Design of InGaN based photodetectors by internal field engineering" IEEE Electron Devices, Conf Proc- 2007 Spanish Conference, 296-299 (2007) ISSN: 0741-3106
13: (2007)
S. GHOSH, C. RIVERA, J. L. PAU, E. MUÑOZ, O. BRANDT, H. T. GRAHN "Very narrow-band ultraviolet photodetection based on strained M-plane GaN films" Applied Physics Letters, 90, 091110-1,-3(2007) ISSN: 0003-6951
14: (2008)
Narrow-band photodetection based on M-plane GaN films
15: (2008)
Observation of giant photocurrent gain in highly doped (In,Ga)N/GaN MQW-based photodiodes
16: (2008)
Spatially Resolved Luminescence Spectroscopy of Single GaN/(Al,Ga)N Quantum Disks
17: (2009)
A. NAVARRO, C. RIVERA, J. PEREIRO, E. MUÑOZ, B. IMER, S.P. DENBAARS, J.S. SPECK. "High responsivity A-plane GaN-based metal-semiconductor-metal photodetectors for polarization-sensitive applications" Applied Physics Letters, 94, 213512-1, 213512-3 (2009)
18: (2009)
C. RIVERA, E. MUÑOZ "The role of electric field-induced strain in the degradation mechanism of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors" Applied Physics Letters 94, 053501 (2009).
19: (2009)
F. GONZÁLEZ-POSADA FLORES, C. RIVERA, E.MUÑOZ. "The effects of processing of high-electron-mobility transistors on the strain state and the electrical properties of AlGaN/GaN structures" Applied Physics Letters 95, 203504 (2009)
20: (2009)
J. PEREIRO, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUÑOZ, R. CZERNECKI, S. GRZANKA, M. LESZCZYNSKI "Optimization of InGaN/GaN MQW photodetector structures for high responsivity performance" Journal of Quantum Electronics, 45, 617-622 (2009)
2 Capítulos de libros
1: (2007)
J. PEREIRO, J.L. PAU, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUÑOZ, R. CZERNECKI, G. TARGOWSKI, P. PRYSTAWKO, M. KRYSKO, M. LESZCZYNSKI, T. SUSKI "InGaN growth applied to the fabrication of photodetector devices" in"Nitrides and dilute nitrides: Growth, physics and devices" 2007 Editorial (si libro): Research Signpost, ISBN: 81-7895-250-5 Lugar de publicación: India
2: (2008)
InGaN growth applied to the fabrication of photodetector devices
18 Ponencia en Congresos
1: (2007)
A. Navarro, C. Rivera, R. Cuerdo, J.L. Pau, J. Pereiro, F. Calle, E. Muñoz "Noise study in photodiodes based on InGaN/GaN" MQW 6th Spanish Conference on Electronic Devices, CDE-07 El Escorial (Madrid, España) 31 de enero al 2 de febrero de 2007
2: (2007)
A. NAVARRO, C. RIVERA, R. CUERDO, J.L. PAU, J. PEREIRO, F. CALLE, E. MUÑOZ "Noise study in photodiodes based on InGaN/GaN MQW". 2007 Spanish Conference on Electron Devices IEEE Proceedings 321-324, ISBN: 1-4244-0868-7 (2007) ISSN: 0741-3106 31 de enero al 2 de febrero 2007 El Escorial, Madrid (España)
3: (2007)
C. Rivera, P. Misra, J.L. Pau, E. Muñoz, O. Brandt, H.T. Grahn, K.H. Ploog "Strained M-Plane Gan For Polarization-Sensitive Applications" 6th Spanish Conference on Electronic Devices CDE-07 El Escorial, Madrid (España) 31 de enero al 2 de febrero de 2007
4: (2007)
J. Pereiro, C. Rivera, J.L. Pau, A. Navarro, S. Fernández-Garrido, S. Grzanka, M. Leszczynski, E. Muñoz "Design, by internal field engineering, of InGaN based photodetectors" 6th Spanish Conference on Electronic Devices CDE-07 El Escorial (Madrid, España) 31 de enero al 2 de febrero de 2007
5: (2007)
J. Pereiro, C. Rivera, J.L. Pau, A. Navarro, S. Fernandez-Garrido, S. Grzanka, M. Leszczynski, E. Muñoz "Growth And Characterization Of (In,Ga)N Based Photodetectors Designed By Internal Field Engineering" 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop 2007 Sierra Nevada, Granada (España) 5 al 7 de marzo de 2007
6: (2007)
J. Pereiro, C. Rivera, J.L. Pau, A. Navarro, S. Fernández-Garrido, S. Grzanka, M. Leszczynski, E. Muñoz "Design, by internal field engineering, of InGaN based photodetectors" 6th Spanish Conference on Electronic Devices CDE-07 El Escorial (Madrid, España) 31 de enero al 2 de febrero de 2007
7: (2007)
J. Pereiro, C. Rivera, J.L. Pau, A. Navarro, S. Fernandez-Garrido, S. Grzanka, M. Leszczynski, E. Muñoz "Design Of Ingan Based Photodetectors By Internal Field Engineering" 6th Spanish Conference on Electronic Devices CDE-07 El Escorial, Madrid (España) 31 de enero al 2 de febrero de 2007
8: (2007)
J. Ristic, C. Rivera, S. Fernández-Garrido, E. Calleja, A. Trampert, K. H. Ploog, M- Povoloskyi, A. Di Carlo ¿Improved growth mode diagram for plasma-assisted MBE growth of (0001) GaN¿ 7th International Conference on Nitride Semiconductors Bremen (Alemania) 16 al 21 de septiembre de 2007
9: (2007)
S. Ghosh, C. Rivera, J. L. Pau, E. Muñoz, O. Brandt, H. T. Grahn "Narrow-Band Photodetection Based On M-Plane Gan". 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (Nevada, USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
10: (2007)
S. Ghosh, C. Rivera, J. L. Pau, E. Muñoz, O. Brandt, H. T. Grahn "Narrow-Band Photodetection Based On M-Plane Gan" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (Nevada, USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
11: (2007)
U. Jahn, E. Calleja, J. Ristic, A. Trampert, C. Rivera "Spatially resolved luminescence spectroscopy of single GaN/(Al,Ga)N quantum disks" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) Las Vegas (Nevada, USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
12: (2008)
A-plane GaN polarization-sensitive photodetectors International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2008 Montreux (Suiza), 2008
13: (2008)
Influence of Piezoelectric Effects on the Electrical and Optical Properties of GaN-based Quantum-Well and Quantum-Disk Structures
14: (2008)
Optimization of (Al,Ga,In)N-based MQW photodiodes for high responsivity performance in the visible and UV regions International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008) Montreux (Suiza), 2008
15: (2008)
Optimization of InGaN/GaN MQW structures for high responsivity performance Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2008 Leuven (Bélgica), 2008
16: (2008)
The Role of Strain in the Off-state Degradation Mechanism of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2008 Montreux (Suiza), 2008
17: (2009)
C. RIVERA, F. GONZÁLEZ-POSADA, E. MUÑOZ "Electric-field-Induced-strain effects on the degradation of III-Nitride-based HEMTs" 33rd WOCSDICE Malaga (Spain), 2009
18: (2009)
C. RIVERA, F.GONZÁLEZ-POSADA FLORES, E. MUÑOZ. "Strain-induced effects on the degradation of III-Nitride-based HEMTs". 33st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits 2009 Málaga (Spain), 2009.
Explotación de Resultados y Transferencia de Tecnología
3 Patentes
1: (2007)
Inventores (p.o. de firma):Sr. D. Carlos Rivera de Lucas, Sr. D. Elías Muñoz Merino, Sr. D. Holger T. Grahn, "Procedimiento y sistema de detección de polarización de la luz con respuesta paso de banda". Referencia: UPM/PAT-2007/020.Solicitud: P200701926
2: (2008)
Sistema de detección de polarización de la luz con respuesta paso banda
3: (2010)
Sistema de detección de polarización de la luz con respuesta paso banda
• TOMA DE DATOS DE MEMORIAS Y CV
• UPM.ES
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)
