Observatorio de I+D+i UPM
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INVESTIGADORES
ESTRUCTURAS DE I+D+I
ACTIVIDAD INVESTIGADORA
INNOVACIÓN
Investigador
Juan Pereiro Viterbo
Categoría Investigador
PIA - PERSONAL INVESTIGADOR DE APOYO
Escuela UPM
E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
Departamento:
INGENIERIA ELECTRONICA (ANTIGUO)
Area Conocimiento
SIN AREA DE CONOCIMIENTO
Grupo de Investigación:
Sin grupo de investigación
Email (Directorio UPM)
juan.pereiro
upm.es
Investigador no vigente en la UPM
Datos de Memorias relacionados
Proyectos de I+D+i y generación de recursos
7 Proyectos de I+D+i
1: (2007)
"Ayudas para apoyar las líneas de I+D en el programa de creación y consolidación de grupos de investigación de la Universidad Politécnica de Madrid. CAM, Referencia: CCG07-UPM/000-3220"
2: (2007)
"(Bio)sensores químicos avanzados para medida in-situ de la calidad de aguas basados en elementos específicos de reconocimiento y lectura "multifuncional integrada"
3: (2007)
"(Bio)sensores químicos avanzados para medida in-situ de la calidad de aguas basados en elementos específicos de reconocimiento y lectura (multifuncional integrada)"
4: (2007)
"Fabrication of AlGaN/GaN High Mobility Transistors grown on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates" Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT
5: (2007)
"Key Organisation for Research on Integrated Circuits in GaN Technology (KORRIGAN)"Programmes and Activities Memorandum of Understanding (EUROPA MOU); Contract nº 04/102.052/032. CA Nº 2157 V7.(2005-2009).
6: (2007)
"New Generation of GaN-based sensor arrays for nano and picofluidic systems for fast and reliable biomedical testing (GANANO)" STREP NMP4-CT-2003-505641 (2003-2006).
7: (2008)
Korrigan: Key Organisation for Research on Integrated Circuits in GaN Technology
Formación de Investigadores y Movilidad
1 Tesis Doctorales
1: (2009)
JUAN PEREIRO VITERBO "Diseño, crecimiento, caracterización y fabricación de detectores de luz ultravioleta y visible basados en pozos cuánticos de nitruros del grupo III"
Difusión de Resultados de Investigación
14 Artículos en revistas
1: (2007)
A. NAVARRO, C. RIVERA, R. CUERDO, J.L. PAU, J. PEREIRO, E. MUÑOZ "Low frequency noise in InGaN/GaN MQW-based photodetector structures" Physica Status Solidi (a), 204, 262-266 (2007) ISSN: 0370-1972
2: (2007)
A. NAVARRO, C. RIVERA, R. CUERDO, J.L. PAU, J. PEREIRO, F. CALLE, E. MUÑOZ "Noise study in photodiodes based on InGaN/GaN MQW" IEEE Electron Devices, Conf Proc- 2007 Spanish Conference, 321-324, ISBN: 1-4244-0868-7 (2007) ISSN: 0741-3106
3: (2007)
A. NAVARRO, C. RIVERA, R. CUERDO, J.L. PAU, J. PEREIRO, F. CALLE, E. MUÑOZ "Noise study in photodiodes based on InGaN/GaN MQW" 2007 Spanish Conference on Electron Devices IEEE Proceedings 321-324, ISBN: 1-4244-0868-7 (2007)
4: (2007)
J. PEREIRO, C. RIVERA, J.L. PAU, A. NAVARRO, S. FERNANDEZ - GARRIDO, S. GRZANKA, M. LESZCZYNSKI, E. MUÑOZ "Design Of Ingan Based Photodetectors By Internal Field Engineering".2007 Spanish Conference on Electron Devices IEEE Proceedings 296-299, ISBN: 1-4244-0868-7 (2007)
5: (2007)
J. PEREIRO, C. RIVERA, J.L. PAU, A. NAVARRO, S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, S. GRZANKA, M. LESZCZYNSKI, E. MUÑOZ "Design of InGaN based photodetectors by internal field engineering" IEEE Electron Devices, Conf Proc- 2007 Spanish Conference, 296-299 (2007) ISSN: 0741-3106
6: (2008)
Band bending at In-rich InGaN surfaces
7: (2008)
Bowing of the band gap pressure coefficients in InGaN alloys
8: (2008)
Effect of the growth temperature and the AlN mole fraction on In incorporation and properties of quaternary III-nitride layers grown by molecular beam epitaxy
9: (2008)
Growth of Nitrogen-Doped MgxZn1−xO for Use in Visible Rejection Photodetectors
10: (2008)
Photoluminiscence enhancement in quaternay III-nitrides alloys grown by molecular beam epitaxy with increasing Al content
11: (2009)
A. NAVARRO, C. RIVERA, J. PEREIRO, E. MUÑOZ, B. IMER, S.P. DENBAARS, J.S. SPECK. "High responsivity A-plane GaN-based metal-semiconductor-metal photodetectors for polarization-sensitive applications" Applied Physics Letters, 94, 213512-1, 213512-3 (2009)
12: (2009)
J. PEREIRO, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUÑOZ, R. CZERNECKI, S. GRZANKA, M. LESZCZYNSKI "Optimization of InGaN/GaN MQW photodetector structures for high responsivity performance" Journal of Quantum Electronics, 45, 617-622 (2009)
13: (2010)
Mg doping of InGaN layers grown by PA-MBE for the fabrication of Schottky barrier photodiodes
14: (2011)
InN/InGaN multiple quantum wells emitting at 1.5 mu m grown by molecular beam epitaxy
3 Capítulos de libros
1: (2007)
J. PEREIRO, J.L. PAU, C. RIVERA, A. NAVARRO, E. MUÑOZ, R. CZERNECKI, G. TARGOWSKI, P. PRYSTAWKO, M. KRYSKO, M. LESZCZYNSKI, T. SUSKI "InGaN growth applied to the fabrication of photodetector devices" in"Nitrides and dilute nitrides: Growth, physics and devices" 2007 Editorial (si libro): Research Signpost, ISBN: 81-7895-250-5 Lugar de publicación: India
2: (2007)
S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA, A. REDONDO-CUBERO, R. GAGO, J. PEREIRO, F. GONZÁLEZ-POSADA, E. MUÑOZ. "Propeties and growth by plasma assisted molecular beam epitaxy of quaternary III-Nitrides". In Nitrides and dilute nitrides: Growth, physics and devices, J. Miguel-Sánchez, editor, Research Signpost, Singapore (2007)
3: (2008)
InGaN growth applied to the fabrication of photodetector devices
1 Cursos, seminarios y tutoriales
1: (2009)
D. Juan Pereiro Viterbo "Diseño, crecimiento, caracterización y fabricación de detectores de luz ultravioleta y visible basados en pozos cuánticos de nitruros del grupo III" December 11st, 2009
12 Ponencia en Congresos
1: (2007)
A. Nakamura, T. Hayashi, S. Gangil, J. Temmyo, A. Navarro, J. Pereiro, E. Muñoz "Nitrogen-Doped Mgxzn1-Xo Growth Towards Visible Rejection Photodetetors" 13th International Conference on II-VI Compounds Jeju (Corea) 10 al 14 de septiembre de 2007
2: (2007)
A. Navarro, C. Rivera, R. Cuerdo, J.L. Pau, J. Pereiro, F. Calle, E. Muñoz "Noise study in photodiodes based on InGaN/GaN" MQW 6th Spanish Conference on Electronic Devices, CDE-07 El Escorial (Madrid, España) 31 de enero al 2 de febrero de 2007
3: (2007)
A. NAVARRO, C. RIVERA, R. CUERDO, J.L. PAU, J. PEREIRO, F. CALLE, E. MUÑOZ "Noise study in photodiodes based on InGaN/GaN MQW". 2007 Spanish Conference on Electron Devices IEEE Proceedings 321-324, ISBN: 1-4244-0868-7 (2007) ISSN: 0741-3106 31 de enero al 2 de febrero 2007 El Escorial, Madrid (España)
4: (2007)
J. Pereiro, C. Rivera, J.L. Pau, A. Navarro, S. Fernández-Garrido, S. Grzanka, M. Leszczynski, E. Muñoz "Design, by internal field engineering, of InGaN based photodetectors" 6th Spanish Conference on Electronic Devices CDE-07 El Escorial (Madrid, España) 31 de enero al 2 de febrero de 2007
5: (2007)
J. Pereiro, C. Rivera, J.L. Pau, A. Navarro, S. Fernandez-Garrido, S. Grzanka, M. Leszczynski, E. Muñoz "Growth And Characterization Of (In,Ga)N Based Photodetectors Designed By Internal Field Engineering" 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop 2007 Sierra Nevada, Granada (España) 5 al 7 de marzo de 2007
6: (2007)
J. Pereiro, C. Rivera, J.L. Pau, A. Navarro, S. Fernández-Garrido, S. Grzanka, M. Leszczynski, E. Muñoz "Design, by internal field engineering, of InGaN based photodetectors" 6th Spanish Conference on Electronic Devices CDE-07 El Escorial (Madrid, España) 31 de enero al 2 de febrero de 2007
7: (2007)
J. Pereiro, C. Rivera, J.L. Pau, A. Navarro, S. Fernandez-Garrido, S. Grzanka, M. Leszczynski, E. Muñoz "Design Of Ingan Based Photodetectors By Internal Field Engineering" 6th Spanish Conference on Electronic Devices CDE-07 El Escorial, Madrid (España) 31 de enero al 2 de febrero de 2007
8: (2008)
A-plane GaN polarization-sensitive photodetectors International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) 2008 Montreux (Suiza), 2008
9: (2008)
Optimization of (Al,Ga,In)N-based MQW photodiodes for high responsivity performance in the visible and UV regions International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2008) Montreux (Suiza), 2008
10: (2008)
Optimization of InGaN/GaN MQW structures for high responsivity performance Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2008 Leuven (Bélgica), 2008
11: (2008)
Photoemission and Optical Studies of Electron Accumulation at InN and In-rich InGaN Surfaces
12: (2009)
A. REDONDO-CUBERO, J. PEREIRO, J. GRANDAL, K. LORENZ, N. FRANCO, R. GAGO, E. MUÑOZ, M. A. SÁNCHEZ-GARCÍA, E. CALLEJA, E. ALVES "Structural study of the epitaxial growth in InGaN/GaN heterostructures by ion beam analysis" 33rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2009) Málaga (Spain), 2009.
• TOMA DE DATOS DE MEMORIAS Y CV
• UPM.ES
S2i 2023 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)
