Observatorio de I+D+i UPM
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INVESTIGADORES
ESTRUCTURAS DE I+D+I
ACTIVIDAD INVESTIGADORA
INNOVACIÓN
Investigador
Fernando González-Posada Flores
Categoría Investigador
PIF - PERSONAL INVESTIGADOR EN FORMACION
Escuela UPM
E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
Departamento:
INGENIERIA ELECTRONICA (ANTIGUO)
Area Conocimiento
SIN AREA DE CONOCIMIENTO
Grupo de Investigación:
Sin grupo de investigación
Email (Directorio UPM)
fernando.gonzalezposada
upm.es
Investigador no vigente en la UPM
Datos de Memorias relacionados
Proyectos de I+D+i y generación de recursos
5 Proyectos de I+D+i
1: (2007)
"Ayudas para apoyar las líneas de I+D en el programa de creación y consolidación de grupos de investigación de la Universidad Politécnica de Madrid. CAM, Referencia: CCG07-UPM/000-3220"
2: (2007)
"Fabrication of AlGaN/GaN High Mobility Transistors grown on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates" Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT
3: (2007)
"Key Organisation for Research on Integrated Circuits in GaN Technology (KORRIGAN)"Programmes and Activities Memorandum of Understanding (EUROPA MOU); Contract nº 04/102.052/032. CA Nº 2157 V7.(2005-2009).
4: (2007)
"New Generation of GaN-based sensor arrays for nano and picofluidic systems for fast and reliable biomedical testing (GANANO)" STREP NMP4-CT-2003-505641 (2003-2006).
5: (2008)
Korrigan: Key Organisation for Research on Integrated Circuits in GaN Technology
Formación de Investigadores y Movilidad
1 Tesis Doctorales
1: (2009)
FERNANDO GONZÁLEZ-POSADA FLORES "Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónica basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN"
Difusión de Resultados de Investigación
9 Artículos en revistas
1: (2007)
F. GONZÁLEZ-POSADA, J.A. BARDWELL, S. MOISA, S. HAFFOUZ AND H. TANG, A.F. BRAÑA E. MUÑOZ "Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy" Applied Surface Science, 53, 14, 6185-6190 (2007) ISSN: 0169-4332
2: (2008)
Aluminium incorporation in AlGaN/GaN heterostructures: a comparative study by ion beam analysis and X-ray diffraction
3: (2008)
Effects of N2 plasma pre-treatment on the SiN Passivation of AlGaN/GaN HEMT
4: (2008)
Photoluminiscence enhancement in quaternay III-nitrides alloys grown by molecular beam epitaxy with increasing Al content
5: (2008)
Study of SiNx:Hy passivant layers for AlGaN/GaN high electron mobility transistors
6: (2009)
F. GONZÁLEZ-POSADA FLORES, A. REDONDO-CUBERO, R. GAGO, A. BENGOECHEA, A. JIMENES, D. GRAMBOLE, A.F. BRAÑA, E.MUÑOZ "High-resolution hydrogen profiling in AlGaN/GaN heterostructures grown by different epitaxial methods" J. Phys. D: Appl. Phys. 42, 055406 (5pp) (2009)
7: (2009)
F. GONZÁLEZ-POSADA FLORES, C. RIVERA, E.MUÑOZ. "The effects of processing of high-electron-mobility transistors on the strain state and the electrical properties of AlGaN/GaN structures" Applied Physics Letters 95, 203504 (2009)
8: (2009)
V. TASCO, A. CAMPA, I. TARANTINI, A. PASSASEO, F. GONZÁLEZ-POSADA, A. REDONDO-CUBERO, K. LORENZ, N. FRANCO, E. MUÑOZ "Investigation of different mechanisms of GaN growth induced on AlN and GaN nucleation layer" Journal of Applied Physics, 105, 063510 (2009)
9: (2012)
Impact of N-2 Plasma Power Discharge on AlGaN/GaN HEMT Performance
1 Capítulos de libros
1: (2007)
S. FERNÁNDEZ-GARRIDO, E. CALLEJA, A. REDONDO-CUBERO, R. GAGO, J. PEREIRO, F. GONZÁLEZ-POSADA, E. MUÑOZ. "Propeties and growth by plasma assisted molecular beam epitaxy of quaternary III-Nitrides". In Nitrides and dilute nitrides: Growth, physics and devices, J. Miguel-Sánchez, editor, Research Signpost, Singapore (2007)
1 Cursos, seminarios y tutoriales
1: (2009)
D. Fernando González-Posada Flores "Aspectos estructurales, deformación y superficies en relación con la fiabilidad de transistores de alta movilidad electrónicas basados en heteroestructuras de AlGaN/GaN" December 18th, 2009
6 Ponencia en Congresos
1: (2007)
A. Redondo-Cubero, R. Gago, F. González-Posada, S. Fernández-Garrido, A. Muñoz-Martín, A. F. Braña, U. Kreissig, D. Grambole, E. Muñoz "Ion Beam Analysis Of Ternary And Quaternary AlInGaNn/GaN Heterostructures For High-Power Electronic Devices". European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2007. Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
2: (2007)
A. Redondo-Cubero, R. Gago, F. González-Posada, S. Fernández-Garrido, A. Muñoz-Martín, A. F. Braña, U. Kreissig, D. Grambole, E. Muñoz "Ion Beam Analysis Of Ternary And Quaternary Alingan/Gan Heterostructures For High-Power Electronic Devices"European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2007 Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
3: (2007)
F. González-Posada, A. F. Braña, D. L. Romero, M. F. Romero, E. Muñoz, C. Palacio, A. Jiménez, J. A. Bardwell. "Effects Of Surface Cleaning And Treatments In 2deg Characteristics Of Gan Hemt Structures" 31st Workshop on compound Semiconductor devices and Integrated circuits WOCSDICE-2007Venecia (Italia) 20 al 23 de mayo de 2007
4: (2007)
K. Bejtka, R.W. Martin, S. Fernández-Garrido, A. Redondo-Cubero, F. González-Posada, E. Calleja "Composition and luminescence of AlInGaN layers grown by MBE" 14th European Molecular Beam Epitaxy Workshop 2007 Sierra Nevada, Granada (ESPAÑA) 5 al 7 de marzo de 2007
5: (2009)
C. RIVERA, F. GONZÁLEZ-POSADA, E. MUÑOZ "Electric-field-Induced-strain effects on the degradation of III-Nitride-based HEMTs" 33rd WOCSDICE Malaga (Spain), 2009
6: (2009)
C. RIVERA, F.GONZÁLEZ-POSADA FLORES, E. MUÑOZ. "Strain-induced effects on the degradation of III-Nitride-based HEMTs". 33st Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits 2009 Málaga (Spain), 2009.
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