Observatorio de I+D+i UPM
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INVESTIGADORES
ESTRUCTURAS DE I+D+I
ACTIVIDAD INVESTIGADORA
INNOVACIÓN
Investigador
Alejandro Francisco Braña De Cal
Categoría Investigador
ESCALA INFORMATICA B INTERINO
Escuela UPM
E.T.S. DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACION
Departamento:
NO ADSCRITOS/AS A DEPARTAMENTO EN EL DIA DE LA FECHA
Area Conocimiento
SIN AREA DE CONOCIMIENTO
Grupo de Investigación:
Sin grupo de investigación
Email (Directorio UPM)
af.brana
upm.es
Datos de Memorias relacionados
Proyectos de I+D+i y generación de recursos
5 Proyectos de I+D+i
1: (2007)
"Ayudas para apoyar las líneas de I+D en el programa de creación y consolidación de grupos de investigación de la Universidad Politécnica de Madrid. CAM, Referencia: CCG07-UPM/000-3220"
2: (2007)
"Fabrication of AlGaN/GaN High Mobility Transistors grown on Si(111) and SiC/Si(111) Substrates" Acuerdo Hispano-Canadiense NRC-SEPOCYT
3: (2007)
"Key Organisation for Research on Integrated Circuits in GaN Technology (KORRIGAN)"Programmes and Activities Memorandum of Understanding (EUROPA MOU); Contract nº 04/102.052/032. CA Nº 2157 V7.(2005-2009).
4: (2007)
"New Generation of GaN-based sensor arrays for nano and picofluidic systems for fast and reliable biomedical testing (GANANO)" STREP NMP4-CT-2003-505641 (2003-2006).
5: (2007)
"14th European Workshop on MBE, Sierra Nevada, Granada, ESPAÑA.ISOM-UPM
Difusión de Resultados de Investigación
2 Artículos en revistas
1: (2007)
F. GONZÁLEZ-POSADA, J.A. BARDWELL, S. MOISA, S. HAFFOUZ AND H. TANG, A.F. BRAÑA E. MUÑOZ "Surface cleaning and preparation in AlGaN/GaN-based HEMT processing as assessed by X-ray photoelectron spectroscopy" Applied Surface Science, 53, 14, 6185-6190 (2007) ISSN: 0169-4332
2: (2007)
R. CUERDO, J. PEDRÓS, A. NAVARRO, A.F. BRAÑA, J.L. PAU, E. MUÑOZ, F. CALLE "High temperature assessment of nitride-based devices" Journal of Materials Science: Materials in Electronics, (published online) (2007) ISSN: 0957-4522
5 Ponencia en Congresos
1: (2007)
A. Redondo-Cubero, M. F. Romero, R. Gago, A. Muñoz-Martín, A.F. Braña, A. Jiménez, E. Muñoz "Study of a-SiN:H passivant layers for GaN-based high electron mobility transistors",European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2007 Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
2: (2007)
A. Redondo-Cubero, R. Gago, F. González-Posada, S. Fernández-Garrido, A. Muñoz-Martín, A. F. Braña, U. Kreissig, D. Grambole, E. Muñoz "Ion Beam Analysis Of Ternary And Quaternary Alingan/Gan Heterostructures For High-Power Electronic Devices"European Materials Research Society Meeting (E-MRS) 2007 Estrasburgo (Francia) 28 de mayo al 1 Junio de 2007
3: (2007)
F. González-Posada, A. F. Braña, D. L. Romero, M. F. Romero, E. Muñoz, C. Palacio, A. Jiménez, J. A. Bardwell. "Effects Of Surface Cleaning And Treatments In 2deg Characteristics Of Gan Hemt Structures" 31st Workshop on compound Semiconductor devices and Integrated circuits WOCSDICE-2007Venecia (Italia) 20 al 23 de mayo de 2007
4: (2007)
R. Cuerdo, F. Calle, A. F. Braña, E. Muñoz, Y. Cordier, M. Azize, N. Baron, S. Chenot "High temperature DC performance of nitride HEMTs with different gate length" 16th European Workshop on Heterostructures Technology Frejus (Francia) 2 al 5 de septiembre de 2007
5: (2007)
R. Cuerdo, F. Calle, A. F. Braña, Y. Cordier, M. Azize, N. Baron, S. Chenot, E. Muñoz "High temperature behaviour of AlGaN/GaN HEMTs on Si(111) and sapphire substrates" 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS07) Las Vegas (USA) 16 al 21 de septiembre de 2007
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