Equipo de Epitaxia por Haces Moleculares (Molecular Beam Epitaxy) (MBE)
RIBER 32 para semiconductores basados en As-III<\/p>\n
Con este equipo se pueden fabricar estructuras de capas de
semiconductores basados en arseniuros del grupo III [GaAs(N,Sb),
InGaAs(N,Sb), AlGaAs(N,Sb)], con resolución atómica (capas atómicas
individuales de distintos materiales) y con un control muy preciso de la
planicidad y el espesor. Esto permite fabricar dispositivos de pozos
cuánticos y puntos cuánticos.<\/p>\n
Este equipo permite desarrollar muchos dispositivos diferentes, desde
emisores de luz (LED, LÁSER, Emisores de un solo fotón), filtros,
moduladores, diodos, transistores o detectores de luz. Es el equipo
básico donde se fabrica el material que se emplea en el resto de los
procesos y por lo tanto es el inicio de toda la cadena de fabricación de
cualquier dispositivo electro-óptico.<\/p>\n
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Ademas de la fabricación de emisores de luz y de fotodectores, es un equipo muy adecuado para su utilización en comunicaciones cuánticas en tanto que es capaz de fabricar las estructuras de emisores y detectores de luz imprescindiblesen este tipo de comunicaciones. En función del tipo de materiales que se emplean, su longitud de onda de aplicación se extiende en el IR-visible desde 620nm hasta 20 µm aproximadamente.<\/p>\n
Electrónica, Óptica, Optoelectrónica, Comunicaciones cuánticas.<\/p>\n
La ventaja diferencial del crecimiento por MBE es que su resolución es de +\/- 1 capa atómica (aproximadamente +\/- 5 nm). Posee varios sistemas de monitorización de la calidad del material in-situ. Entre ellos es de destacar el RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) que permite analizar el frente de crecimiento del cristal mientras avanza y evaluar su calidad, velocidad de crecimiento y espesor, así como detectar la aparición de puntos cuánticos en la superficie.<\/p>\n
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ISOM. E.T.S.I.Telecomunicación<\/p>\n