{"id":8394,"date":"2021-11-25T14:05:47","date_gmt":"2021-11-25T13:05:47","guid":{"rendered":"https:\/\/www.upm.es\/recursosidi\/offers-resources\/sin categor\u00eda\/metodo-para-reducir-el-exceso-de-ruido-en-dispositivos-electronicos-y-en-circuitos-integrados-monoliticos\/"},"modified":"2022-08-10T02:03:14","modified_gmt":"2022-08-10T00:03:14","slug":"metodo-para-reducir-el-exceso-de-ruido-en-dispositivos-electronicos-y-en-circuitos-integrados-monoliticos","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.upm.es\/recursosidi\/offers-resources\/patentes\/metodo-para-reducir-el-exceso-de-ruido-en-dispositivos-electronicos-y-en-circuitos-integrados-monoliticos\/","title":{"rendered":"M\u00e9todo para reducir el exceso de ruido en dispositivos electr\u00f3nicos y en circuitos integrados monol\u00edticos"},"content":{"rendered":"
Descripci\u00f3n de la patente <\/h5>\n

Esta invenci\u00f3n propone usar una pantalla termodin\u00e1mica situada bajo los dispositivos electr\u00f3nicos para bloquear las corrientes transversales entre ellos y las capas subyacentes, responsables de su exceso de ruido. Para capas epitaxiales como las usadas en Microelectr\u00f3nica, la capa-barrera (2) de dopaje opuesto al de la epicapa (4) donde est\u00e1n los dispositivos, y la capa separadora no-dopada (3), forman la pantalla termodin\u00e1mica que, intercalada entre la epicapa (4) y el sustrato (1), reduce esas corrientes transversales y por tanto el exceso de ruido de los dispositivos de la epicapa (4) cuando son polarizados. La conexi\u00f3n del contacto \u00f3hmico (7) de la capa pantalla (2) con el surtidor (6) de los transistores FET de la epicapa (4) (conexi\u00f3n de trazos) o con su puerta (5), elimina el ruido t\u00e9rmico del condensador que exist\u00eda bajo esos FETs y por tanto el correspondiente exceso de ruido en esos dispositivos.<\/p>\n

Situaci\u00f3n <\/h5>\n

Concedida<\/p>\n

N\u00famero de solicitud<\/h5>\n

P200502744<\/p>\n

N\u00famero de publicaci\u00f3n<\/h5>\n

ES2274727<\/p>\n

Fecha de presentaci\u00f3n <\/h5>\n

10\/11\/2005<\/p>\n

Fecha de concesi\u00f3n <\/h5>\n

17\/10\/2007<\/p>\n

Extensiones Internacionales<\/strong><\/h4>\n
EUROPA<\/h5>\n

Referencia de la solicitud: <\/strong>06841690.8
\nEP1950796
T\u00edtulo:\t\t\t\t\t <\/strong>Method to reduce excess noise in electronic devices and monolithic integrated circuits
Situacion: \t\t\t\t <\/strong>Presentada<\/p>\n

PA\u00cdSES<\/h5>\n

Pa\u00eds: <\/strong>EEUU
N\u00famero de solicitud: <\/strong>US 12\/092,812
Titulo: <\/strong>Method to reduce excess noise in electronic devices and monolithic integrated circuits
Situaci\u00f3n: <\/strong>Presentada<\/p>\n

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  • JOSE IGNACIO IZPURA TORRES
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