|
Descripción
|
|
|---|---|
| 0 | |
|
Internacional
|
Si |
|
JCR del ISI
|
Si |
|
Título de la revista
|
NOVEL IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS XII |
|
ISSN
|
0277-786X |
|
Factor de impacto JCR
|
0 |
|
Información de impacto
|
|
|
Volumen
|
8640 |
|
DOI
|
10.1117/12.2004366 |
|
Número de revista
|
|
|
Desde la página
|
0 |
|
Hasta la página
|
9 |
|
Mes
|
|
|
Ranking
|
0 |