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Descripción
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| En este artículo se describe el crecimiento directo de InP sobre un sustrato de GaAs (001) mediante epitaxia por haz molecular a baja temperatura con hidrógeno. Se describe el procedimiento epitaxial empleado y se muestran los resultados de la caracterización mediante las técnicas RHEED, HRXRD y PL. Se concluye que el empleo de hidrógeno favorece el crecimiento epitaxial del InP. | |
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Internacional
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No |
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JCR del ISI
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No |
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Título de la revista
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Journal of applied physics |
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ISSN
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0021-8979 |
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Factor de impacto JCR
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0 |
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Información de impacto
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Volumen
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103 |
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DOI
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Número de revista
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0 |
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Desde la página
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013508-1 |
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Hasta la página
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013508-3 |
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Mes
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ENERO |
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Ranking
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