Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Influence of temperature and drain current on source and drain resistances in AlGaN/GaN HEMTs
Año:2011

Áreas de investigación

Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SOLID-STATE ELECTRONICS
ISSN
0038-1101
Factor de impacto JCR
1,438
Información de impacto
Volumen
63
DOI
10.1016/j.sse.2011.05.021
Número de revista
1
Desde la página
184
Hasta la página
188
Mes
Ranking
54/116 PHYSICS, APPLIED (SCI); 32/67 PHYSICS, CONDENSED MATTER (SCI); 79/247 ENGINEERING, ELECTRICAL AND ELECTRONIC (SCI)

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: r. cuerdo UPM
  • Autor: f. calle UPM

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica