Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Ge(100) surfaces in a MOVPE environment for III-V nucleation in-situ studies and atomic resolution
Año:2011

Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Vicinal Ge(100) substrates represent almost perfect templates for III-V nucleation and are therefore established as substrates for high-performance devices such as III-V triple junction solar cells grown by MOVPE. However, only little is known about the Ge(100) surface prepared and grown in a MOVPE
Internacional
Si
Nombre congreso
18th American Conference on Crystal Growth
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Monterrey (CA-USA)
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0022-0248
DOI
Fecha inicio congreso
31/07/2011
Fecha fin congreso
05/08/2011
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Título de las actas
18th American Conference on Crystal Growth

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: S. Brückner
  • Autor: Enrique Barrigon Montañes UPM
  • Autor: O. Supplie
  • Autor: J. Luczak
  • Autor: C. Löbbels
  • Autor: Ignacio Rey-Stolle Prado UPM
  • Autor: P. Kleinsehmidt
  • Autor: H. Döscher
  • Autor: T. Hannappel

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Semiconductores III-V
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física