Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Method of Channel Temperature and Thermal Resistance Extraction in AlGaN/GaN HEMTs
Year:2011
Research Areas
  • Engineering
Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS del ISOM ver http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
9th Int Conf Nitride Semiconductors
960
Place
Glasgow (UK) 2011
Reviewers
No
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
10/07/2011
End Date
15/07/2011
From page
0
To page
0
Proceedings
Participants
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: Roberto Cuerdo Bragado (UPM)
  • Autor: Eugenio Sillero Herrero (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)