Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of N-2 Plasma Power Discharge on AlGaN/GaN HEMT Performance
Año:2012
Áreas de investigación
Datos
Descripción
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN
0018-9383
Factor de impacto JCR
2,255
Información de impacto
Volumen
59
DOI
10.1109/TED.2011.2176947
Número de revista
2
Desde la página
374
Hasta la página
379
Mes
Ranking
27/116 PHYSICS, APPLIED (SCI); 32/247 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC (SCI)
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: m. -fatima romero (UPM)
  • Autor: Ana Fernandez Jimenez (UPM)
  • Autor: fernando gonzalez-posada flores (UPM)
  • Autor: sara martin-horcajo (UPM)
  • Autor: fernando calle (UPM)
  • Autor: elias munoz (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Civil: Construcción
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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