Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Ionization levels of doped copper indium sulfide chalcopyrites
Año:2012
Áreas de investigación
  • Química,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Dispositivos electrónicos,
  • Materiales para ingeniería eléctrica y electrónica,
  • Tecnología de dispositivos para ingeniería eléctrica y electrónica
Datos
Descripción
The electronic structure of modified chalcopyrite CuInS2 has been analyzed from first principles within the density functional theory. The host chalcopyrite has been modified by introducing atomic impurities M at substitutional sites in the lattice host with M = C, Si, Ge, Sn, Ti, V, Cr, Fe, Co, Ni, Rh, and Ir. Both substitutions M for In and M for Cu have been analyzed. The gap and ionization energies are obtained as a function of the M-S displacements. It is interesting for both spintronic and optoelectronic applications because it can provide significant information with respect to the pressure effect and the nonradiative recombination.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Journal of Physical Chemistry a
ISSN
1089-5639
Factor de impacto JCR
2,946
Información de impacto
Volumen
116
DOI
10.1021/jp209594u
Número de revista
5
Desde la página
1390
Hasta la página
1395
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física