Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Electronic and Photon Absorber Properties of Cr-Doped Cu2ZnSnS4
Año:2012
Áreas de investigación
  • Química física,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática,
  • Otras tecnologías
Datos
Descripción
The Cu2ZnSnS4 (CZTS) semiconductor is a potential photovoltaic material due to its optoelectronic properties. These optoelectronic properties can be potentially improved by the insertion of intermediate states into the energy bandgap. We explore this possibility using Cr as an impurity. We carried out first-principles calculations within the density functional theory analyzing three substitutions: Cu, Sn, or Zn by Cr. In all cases, the Cr introduces a deeper band into the host energy bandgap. Depending on the substitution, this band is full, empty, or partially full. The absorption coefficients in the independent-particle approximation have also been obtained. Comparison between the pure and doped host's absorption coefficients shows that this deeper band opens more photon absorption channels and could therefo:e increase the solar-light absorption with respect to the host.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Journal of Physical Chemistry C
ISSN
1932-7447
Factor de impacto JCR
4,805
Información de impacto
Volumen
116
DOI
10.1021/jp306283v
Número de revista
44
Desde la página
23224
Hasta la página
23230
Mes
SIN MES
Ranking
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Electrónica Física