Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Patentes:
MÉTODO PARA EL DOPADO SELECTIVO DE UN SEMICONDUCTOR MEDIANTE TRANSFERENCIA INDUCIDA POR LÁSER
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingenierías
Datos
Descripción
Patente que describe un método para realizar el dopado selectivo de un semiconductor mediante un proceso de transferencia inducida por láser.
Internacional
No
Estado
Solicitada
Referencia Patente Prioritaria
P201231065
En explotación
No
Licenciatarios
Fecha solicitud
06/06/2012
Titulares aparte de la UPM
UPC
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: M. Colina (UPC)
  • Autor: C. Voz (UPC)
  • Autor: I. Martín (UPC)
  • Autor: R. Alcubilla (UPC)
  • Autor: Carlos Luis Molpeceres Alvarez (UPM)
  • Autor: Maria Isabel Sanchez Aniorte (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Investigación en Ingeniería y Aplicaciones del Láser
  • Departamento: Física Aplicada a la Ingeniería Industrial
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