Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Obtaining an intermediate band photovoltaic material through the Bi insertion in CdTe
Año:2013
Áreas de investigación
  • Física química y matemáticas
Datos
Descripción
Defect interaction can take place in CdTe under Te and Bi rich conditions. We demonstrate in this work through first principles calculations, that this phenomenon allows a Jahn Teller distortion to form an isolated half-filled intermediate band in the host semiconductor band-gap. This delocalized energy band supports the experimental deep level reported in the host band-gap of CdTe at a low bismuth concentration. Furthermore, the calculated optical absorption of CdTe:Bi in this work shows a significant subband-gap absorption that also supports the enhancement of the optical absorption found in the previous experimental results.
Internacional
No
JCR del ISI
No
Título de la revista
Solar Energy Materials And Solar Cells
ISSN
0927-0248
Factor de impacto JCR
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
Desde la página
99
Hasta la página
103
Mes
SIN MES
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Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Centro o Instituto I+D+i: Instituto de Energía Solar
  • Departamento: Tecnologías Especiales Aplicadas a la Telecomunicación