Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of N2 plasma power discharge on AlGaN/GaN HEMT performance
Año:2012
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones,
  • Ingeniería eléctrica, electrónica y automática
Datos
Descripción
The effects of power and time conditions of in situ N2 plasma treatment, prior to silicon nitride (SiN) passivation, were investigated on an AlGaN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT). These studies reveal that N2 plasma power is a critical parameter to control the SiN/AlGaN interface quality, which directly affects the 2-D electron gas density. Significant enhancement in the HEMT characteristics was observed by using a low power N2 plasma pretreatment.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Ieee Transactions on Electron Devices
ISSN
0018-9383
Factor de impacto JCR
2,318
Información de impacto
Volumen
DOI
Número de revista
Desde la página
374
Hasta la página
379
Mes
FEBRERO
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Fernando Gonzalez Posadas (CEA-Grenoble)
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
  • Autor: Elias Muñoz Merino (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Ingeniería Electrónica
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