Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Q-factor of (In,Ga)N containing III-nitride microcavity grown by multiple deposition techniques
Año:2013
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,168
Información de impacto
Volumen
114
DOI
10.1063/1.4846218
Número de revista
23
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6
Mes
SIN MES
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Zarko Gacevic (UPM)
  • Autor: g. rossbach
  • Autor: r. butte
  • Autor: f. reveret
  • Autor: m. glauser
  • Autor: j. levrat
  • Autor: g. cosendey
  • Autor: j. -f. carlin
  • Autor: n. grandjean
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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