Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Insight into the Compositional and Structural Nano Features of AlN/GaN DBRs by EELS-HAADF
Año:2013

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
MICROSCOPY AND MICROANALYSIS
ISSN
1431-9276
Factor de impacto JCR
3,007
Información de impacto
Volumen
19
DOI
10.1017/S1431927613000512
Número de revista
3
Desde la página
698
Hasta la página
705
Mes
SIN MES
Ranking
0

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Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica