Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Impact of Intrinsic Stress in Diamond Capping Layers on the Electrical Behavior of AlGaN/GaN HEMTs
Año:2013

Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones

Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN
0018-9383
Factor de impacto JCR
2,318
Información de impacto
Volumen
60
DOI
10.1109/TED.2013.2275031
Número de revista
10
Desde la página
3149
Hasta la página
3156
Mes
SIN MES
Ranking
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes
  • Autor: Wang Ashu . UPM
  • Autor: Marko Jak Tadjer . UPM
  • Autor: travis j. anderson
  • Autor: roland baranyai
  • Autor: james w. pomeroy
  • Autor: tatyana i. feygelson
  • Autor: karl d. hobart
  • Autor: bradford b. pate
  • Autor: Fernando Calle Gomez UPM
  • Autor: martin kuball

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica