Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Thermal stability of GaN on-Si HEMTs with different cap layers: GaN, in situ SiN, and in situ SiN/GaN
Year:2013
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS del ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
Congress
10th International Conference on Nitride Semiconductors
960
Place
Washington, DC (USA), 2013
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
25/08/2013
End Date
30/05/2013
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0
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: Sara Martin Horcajo (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Wang Ashu . (UPM)
  • Autor: Veronica Gao Zhan (UPM)
  • Autor: Marko Jak Tadjer . (UPM)
  • Autor: AD Koehler
  • Autor: TJ Anderson
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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