Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Selective area growth of In(Ga)N/GaN nanocolumns by molecular beam epitaxy on GaN-buffered Si(111): from ultraviolet to infrared emission
Year:2013
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
NANOTECHNOLOGY
ISBN
0957-4484
Impact factor JCR
3,979
Impact info
Volume
24
10.1088/0957-4484/24/17/175303
Journal number
17
From page
0
To page
8
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: Steven Albert . (UPM)
  • Autor: a. bengoechea-encabo (UPM)
  • Autor: m. a. sanchez-garcia (UPM)
  • Autor: e. calleja (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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