Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Structural and morphological studies on wet-etched InAlGaN barrier HEMT structures
Año:2013
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
Factor de impacto JCR
1,723
Información de impacto
Volumen
28
DOI
10.1088/0268-1242/28/5/055007
Número de revista
5
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Mes
Ranking
0
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: t. brazzini (UPM)
  • Autor: m. j. tadjer (UPM)
  • Autor: z. gacevic (UPM)
  • Autor: f. calle (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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