Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
GaAsSb/GaAsN short-period superlattices as a capping layer for improved InAs quantum dot-based optoelectronics
Year:2014
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISBN
0003-6951
Impact factor JCR
3,794
Impact info
Volume
105
10.1063/1.4891557
Journal number
4
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0
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4
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: j. m. ulloa (UPM)
  • Autor: d. f. reyes
  • Autor: a. guzman (UPM)
  • Autor: a. hierro (UPM)
  • Autor: d. gonzalez
  • Autor: t. ben
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales
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Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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