Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Effect of annealing atmosphere in the properties of GaAs layers deposited by sputtering techniques on Si substrates
Año:2014
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
ISSN
0957-4522
Factor de impacto JCR
1,076
Información de impacto
Volumen
25
DOI
10.1007/s10854-013-1562-y
Número de revista
1
Desde la página
134
Hasta la página
139
Mes
Ranking
0
Participantes
  • Autor: c. algora (UPM)
  • Autor: b. galiana
  • Autor: i. rey-stolle (UPM)
  • Autor: s. silvestre
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Departamento: Electrónica Física
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