Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Capping layer growth rate and the optical and structural properties of GaAsSbN-capped InAs/GaAs quantum dots
Year:2015
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications,
  • Electric engineers, electronic and automatic (eil)
Information
Abstract
Relacionado con línea de Investigación del GDS DEL ISOM
International
Si
Congress
SPIE Photonics West, San Francisco, (USA), 2015
960
Place
San Francisco, (USA), 2015
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
07/02/2015
End Date
12/02/2015
From page
0
To page
3
Proceedings
Participants
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: D.F. Reyes
  • Autor: Antonio David Utrilla Lomas (UPM)
  • Autor: Alvaro de Guzman Fernandez Gonzalez (UPM)
  • Autor: Adrian Hierro Cano (UPM)
  • Autor: T. Ben
  • Autor: D. González
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)