Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
(S)TEM Analysis of the Strain and Morphology of InAs Quantum Dots using GaAs(Sb)(N) capping layers for Solar Cell Applications
Year:2015
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications,
  • Electric engineers, electronic and automatic (eil)
Information
Abstract
Relacionado con línea de investigación del GDS DEL ISOM
International
Si
Congress
MSF2015- Microscopy at the Frontiers of Science
960
Place
Porto (Portugal)
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
09/09/2015
End Date
11/09/2015
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: DF. Reyes
  • Autor: Antonio David Utrilla Lomas (UPM)
  • Autor: T. Ben
  • Autor: JJ Saborido
  • Autor: Jose Maria Ulloa Herrero (UPM)
  • Autor: G. Bárcena-Gonzáez
  • Autor: D. González
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)