Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Evolution of Radiation-Induced Soft Errors in FinFET SRAMs under Process Variations beyond 22nm
Año:2015
Áreas de investigación
  • Microelectrónica,
  • Verificación de circuitos integrados digitales
Datos
Descripción
New CMOS technologies such as SOI or FinFET are expected to enhance SRAM radiation-induced soft error rates thanks to a reduction on the charge collected as the devices get smaller. In this work we analyze how the radiation hardening capabilities of SRAMs are affected when process variations are considered by simulating cells using a predictive FinFET technology. The results show that even if the average critical charge to which SRAM cells are vulnerable is enhanced by process variations, its widened spread leads to an increase of the soft error rate by more than 40% as the technology node is scaled down to 7nm.
Internacional
Si
Nombre congreso
NANOARCH 2015
Tipo de participación
970
Lugar del congreso
Boston, E.E.U.U.
Revisores
Si
ISBN o ISSN
2327-8218
DOI
10.1109/NANOARCH.2015.7180596
Fecha inicio congreso
08/07/2015
Fecha fin congreso
10/07/2015
Desde la página
112
Hasta la página
117
Título de las actas
Proceedings of the 2015 IEEE/ACM International Symposium on Nanoscale Architectures
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Pablo Royer Del Barrio (UPM)
  • Autor: Fernando Garcia Redondo (UPM)
  • Autor: M. Luisa Lopez Vallejo (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Laboratorio de Sistemas Integrados (LSI)
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
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