Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Stimulated emission via electron-hole plasma recombination in fully strained single InGaN/GaN heterostructures
Año:2016
Áreas de investigación
Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
APPLIED PHYSICS LETTERS
ISSN
0003-6951
Factor de impacto JCR
3,302
Información de impacto
Volumen
109
DOI
10.1063/1.4968799
Número de revista
22
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Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: m. f. romero UPM
  • Autor: a. minj
  • Autor: y. wang
  • Autor: oe. tuna
  • Autor: m. feneberg
  • Autor: r. goldhahn
  • Autor: g. schmerber
  • Autor: p. ruterana
  • Autor: c. giesen
  • Autor: m. heuken
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica