Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Physics-based Analytical Model for Input, Output and Reverse Capacitance of a GaN HEMT with the Field-plate Structure
Year:2016
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS DEL ISOM http://www.isom.upm.es/dsemiconductores.php
International
Si
JCR
Si
Title
Ieee Transactions on Power Electronics
ISBN
0885-8993
Impact factor JCR
5,726
Impact info
Volume
32
10.1109/TPEL.2016.2569404
Journal number
32,
From page
2189
To page
2202
Month
SIN MES
Ranking
Participants
  • Autor: D. Cucak
  • Autor: M. Vasic
  • Autor: O. García
  • Autor: J.A. Oliver
  • Autor: P. Alou
  • Autor: JA. Cobos
  • Autor: A. Wang
  • Autor: S. Martín Horcajo
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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