Memorias de investigación
Premio:
Evolution of InAs quantum dots/wetting layer system under different GaAs capping layer growth rates
Año:2017
Áreas de investigación
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
2nd Poster Prize in the symposium of Strained Layers and Quantum Wells in 20th Microscopy of Semi Conducting Materials.
Internacional
Si
Entidad premiada
Entidad concedente
Fecha
13/04/2017
Lugar donde se premió
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales