Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Impact of 2D-Graphene on SiN Passivated AlGaN/GaN MIS-HEMTs Under Mist Exposure
Year:2017
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
ISBN
0741-3106
Impact factor JCR
2,528
Impact info
Volume
38
10.1109/LED.2017.2747500
Journal number
10
From page
1441
To page
1444
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: alberto bosca (UPM)
  • Autor: m. fatima romero
  • Autor: jorge pedros (UPM)
  • Autor: javier martinez (UPM)
  • Autor: rajveer fandan (UPM)
  • Autor: fernando calle (UPM)
  • Autor: tomas palacios
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Ciencia de Materiales
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
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