Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Research Publications in journals:
Physics-Based Analytical Model for Input, Output, and Reverse Capacitance of a GaN HEMT With the Field-Plate Structure
Year:2017
Research Areas
Information
Abstract
0
International
Si
JCR
Si
Title
IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
ISBN
0885-8993
Impact factor JCR
6,008
Impact info
Volume
32
10.1109/TPEL.2016.2569404
Journal number
3
From page
2189
To page
2202
Month
Ranking
0
Participants
  • Autor: dejana cucak (UPM)
  • Autor: miroslav vasic (UPM)
  • Autor: oscar garcia (UPM)
  • Autor: jesus angel oliver (UPM)
  • Autor: pedro alou (UPM)
  • Autor: jose antonio cobos (UPM)
  • Autor: ashu wang (UPM)
  • Autor: sara martin-horcajo (UPM)
  • Autor: maria fatima romero
  • Autor: fernando calle (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: No seleccionado
  • Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Electrónica Industrial. CEI
  • Grupo de Investigación: Electrónica Industrial
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Departamento: Automática, Ingeniería Eléctrica y Electrónica e Informática Industrial
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)