Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Studies of free charge carrier properties in AlGaN and InGaN based structures by infrared and terahertz optical Hall effect
Year:2017
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
International
Si
Congress
ICNS 12 - 12th International Conference on Nitride Semiconductors
960
Place
Estrasburgo (France)
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
24/07/2017
End Date
28/07/2017
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Proceedings
Participants
  • Autor: N. Armakavicius
  • Autor: JT. Chen
  • Autor: T. Hofmann
  • Autor: S. Knight
  • Autor: P. Kuhne
  • Autor: Mengyao Xie (UPM)
  • Autor: Enrique Calleja Pardo (UPM)
  • Autor: M Shu
  • Autor: et al
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
S2i 2019 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)