Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
Effects of HfO2 Gate dielectric and KOH-based pre-treatments on AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors
Año:2017
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
The 11TH Spanish conference on electron Devices 2017
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Barcelona (Spain), 2017
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
08/02/2018
Fecha fin congreso
10/02/2018
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica