Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Communications at congresses:
Effects of HfO2 Gate dielectric and KOH-based pre-treatments on AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High Electron Mobility Transistors
Year:2017
Research Areas
  • Engineering,
  • Electronic technology and of the communications
Information
Abstract
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
International
Si
Congress
The 11TH Spanish conference on electron Devices 2017
960
Place
Barcelona (Spain), 2017
Reviewers
Si
ISBN/ISSN
0000000000000
Start Date
08/02/2018
End Date
10/02/2018
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0
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3
Proceedings
Participants
  • Autor: Veronica Gao Zhan (UPM)
  • Autor: Fatima Romero Rojo (UPM)
  • Autor: Fernando Calle Gomez (UPM)
Research Group, Departaments and Institutes related
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
S2i 2020 Observatorio de investigación @ UPM con la colaboración del Consejo Social UPM
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNCIDE 2011 (OTR-2011-0236)
Cofinanciación del MINECO en el marco del Programa INNPACTO (IPT-020000-2010-22)