Memorias de investigación
Premio:
Effects of mist exposure on SiN-passivated AlGaN/GaN-based MISHEMTs with and without Graphene top layer '', Best paper award in the 41st WOCSDICE -Workshop on Compound Semiconductor and Integrated Circuits held in Europe celebrated in Las Palmas de Gran Canaria, Canary Islands, Spain, 22-24 May 2017 .
Año:2017
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con líneas de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
Entidad premiada
Entidad concedente
Fecha
22/05/2017
Lugar donde se premió
Madrid, Spain
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología
  • Departamento: Ciencia de Materiales