Observatorio de I+D+i UPM

Memorias de investigación
Artículos en revistas:
Electrically-inactive phosphorus re-distribution during low temperature annealing
Año:2017
Áreas de investigación
  • Células solares
Datos
Descripción
An increased total dose of phosphorus (P dose) in the ?rst 40 nm of a phosphorus di used emitter has been measured after Low Temperature Annealing (LTA) at 700 ?C using the Glow Discharge Optical Emission Spectrometry (GD-OES) technique. This evidence has been observed in three versions of the same emitter containing di erent amounts of initial hosphorus. A stepwise chemical etching of a di used phosphorus emitter has been carried out to prepare the three types of samples. The total P dose in the ?rst 40 nm increases during annealing by 1.4?1015 cm?2 for the sample with the highly-doped emitter, by 0.8?1015 cm?2 in the middle-doped emitter, and by 0.5?1015 cm?2 in the lowest-doped emitter. The presence of surface dislocations in the ?rst few nanometers of the phosphorus emitter might play a role as preferential sites of local phosphorus gettering in phosphorus re-distribution, because the phosphorus gettering to the ?rst 40 nm is lower when this region is etched stepwise.
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
Factor de impacto JCR
2,068
Información de impacto
Volumen
123
DOI
10.1063/1.5002627
Número de revista
Desde la página
161535
Hasta la página
161549
Mes
SIN MES
Ranking
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
  • Autor: Ana Peral Boiza (UPM)
  • Autor: A. Youssef
  • Autor: A. Dastgheib-Shirazi
  • Autor: A. Akey
  • Autor: I.M. Peters
  • Autor: G. Hahn
  • Autor: T. Buonassisi
  • Autor: Carlos del Cañizo Nadal (UPM)
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Departamento: Electrónica Física, Ingeniería Eléctrica y Física Aplicada
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