Memorias de investigación
Ponencias en congresos:
InAlN growth with high nitrogen-flux by plasma-assisted molecular-beam epitaxy
Año:2019
Áreas de investigación
  • Ingenierías,
  • Tecnología electrónica y de las comunicaciones
Datos
Descripción
Relacionado con línea de investigación del GDS ISOM
Internacional
Si
Nombre congreso
20th EuroMBE 2019
Tipo de participación
960
Lugar del congreso
Lenggries (Germany), 2019
Revisores
Si
ISBN o ISSN
0000000000000
DOI
Fecha inicio congreso
17/02/2019
Fecha fin congreso
20/02/2019
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Título de las actas
Proceedings
Esta actividad pertenece a memorias de investigación
Participantes
Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: Grupo de Investigación: Grupo de Dispositivos Semiconductores del ISOM
  • Departamento: Ingeniería Electrónica
  • Centro o Instituto I+D+i: Instituto Universitario de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología