Memorias de investigación
Artículos en revistas:
III-Nitride-based junction devices round contacts: effect of semiconductor film geometry and characteristics on the capacitance and conductance measurements
Año:2019

Áreas de investigación

Datos
Descripción
0
Internacional
Si
JCR del ISI
Si
Título de la revista
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS
ISSN
0957-4522
Factor de impacto JCR
2,324
Información de impacto
Volumen
30
DOI
10.1007/s10854-019-01459-x
Número de revista
12
Desde la página
11164
Hasta la página
11170
Mes
Ranking
0

Esta actividad pertenece a memorias de investigación

Participantes

Grupos de investigación, Departamentos, Centros e Institutos de I+D+i relacionados
  • Creador: No seleccionado
  • Centro o Instituto I+D+i: Centro de Materiales y Dispositivos Avanzados para Tecnologías de Información y Comunicaciones
  • Departamento: Sistemas Aeroespaciales, Transporte Aéreo y Aeropuertos